ترانزسستور الأثر المجالى Field – Effect – Transistor
وإختصارا يسمى FET
هو عبارة عن ترانزسستور شبه موصل يتم التحكم فى التيار المار من خلاله بأستخدام المجال الكهربى ولهذا سمى ترانزسستور المجال (فيت ) FET
وينقسم حاليا إلى نوعان : (يوجد نوعان جديدان بإستخدام مواد عضوية مازالت من الأسرار )
الأول – ترانز سستور الأثر المجالى ذو الوصلة Junction Field- Effect وإختصارا فيت JFET .
الثانى – ترانزسستور الأثر المجالى ذو البوابة المعزولة Insulated – Gate FET
أو يعرف بترانسستورالأثر المجالى المعدنى (Meatal ) الأكسيدى (SO أكسيد سيلكون) شبه الموصل . وإختصارا موسيفت MOSFET .
مميزات ترانزسستور الأثر المجالى FET
1- التيار المار خلاله أحادى القطبية UNIPOLAR TRANSISTOR بمعنى ان حاملات الشحنة هى بنوع واحد من الإليكترونات أو الثقوب .ولذلك يعرف بأنه ترانزسستور أحادى القطبية UNIPOLAR TRANSISTOR بينما الترانزسستور العادى الثنائى القطبية BIPOLAR TRANSISTOR وإختصاراBjT يتكون التيار المار خلاله من كلا النوعين من حاملات الشحنة .
2- مقاومة دخل عالية تصل إلى عشرات من الميجا أوم مما يجعله شبيه بالصمامات المفرغة .
3- مستوى الضوضاء منخفض جدا بالمقارنة بالترانزسستور ثنائى القطبية BjT .
4- سهولة التصنيع وصغر حجمه.
* عيوب ترانزسستور الأثر المجالى FET
هو صغر ناتج ضرب معامل الكسب له فى إتساع الشريحة بالمقارنة بالترانزسستور ثنائى القطبBjT .
* تركيب النوع الاول من ترانزسستور الأثر المجالى ذو الوصلة JFET
اوما يعرف بترانزسستور ذو القناة الإليكترونية n- channel
- يتكون من قضيب من مادة شبه موصلة إليكترونية ( إذا كانت هذه المادة ثقبية النوع ) كان ترانزسستور الأثر المجالى FET من النوع P- channel ( ذا قناة ثقبية ) .
- يمر التيار الكهربى بطول القضيب بسبب وجود فرق جهد كهربى بين طرفى توصيل القضيب .
- يتكون التيار من نوع واحد فقط من حاملات الشحنة ( الإليكترونات أو الثقوب) فى حالة القناة الإليكترونية .
- توجد منطقتان من النوع الثقبى على جانبى القضيب الإليكترونى تتكون من مادة مخالفة لمادة القناة تعرف بأسم البوابة GATE .
